XP2615GEY YAGEO XSEMI | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

XP2615GEY
Numer produktu DigiKey	5048-XP2615GEYTR-ND - Taśma i szpula (TR) 5048-XP2615GEYCT-ND - Taśma cięta (CT) 5048-XP2615GEYDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	YAGEO XSEMI
Numer produktu producenta	XP2615GEY
Opis	MOSFET P-CH 30V 5A SOT26
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 5A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-26
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	YAGEO XSEMI
Seria	XP2615
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	5A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	52mOhm przy 4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	11.2 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1330 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-26
Obudowa / skrzynia	SOT-23-6