XP2322GN YAGEO XSEMI | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

XP2322GN
Numer produktu DigiKey	5048-XP2322GNTR-ND - Taśma i szpula (TR) 5048-XP2322GNCT-ND - Taśma cięta (CT) 5048-XP2322GNDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	YAGEO XSEMI
Numer produktu producenta	XP2322GN
Opis	MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 2,5A (Ta) 833mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	YAGEO XSEMI
Seria	XP2322
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2,5A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	90mOhm przy 1,6A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	11 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	560 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	833mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3