XP2306AGN YAGEO XSEMI | Półprzewodniki dyskretne

XP2306AGN jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

YAGEO XSEMI

W magazynie: 617

Cena jednostkowa : 0,54000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

XP2306AGN
Numer produktu DigiKey	5048-XP2306AGNTR-ND - Taśma i szpula (TR) 5048-XP2306AGNCT-ND - Taśma cięta (CT) 5048-XP2306AGNDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	YAGEO XSEMI
Numer produktu producenta	XP2306AGN
Opis	MOSFET N-CH 30V 5A SOT23
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 5A (Ta) 1,38W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	YAGEO XSEMI
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	5A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	35mOhm przy 5A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	15 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1050 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,38W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3