XP10P500N YAGEO XSEMI | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

XP10P500N
Numer produktu DigiKey	5048-XP10P500NTR-ND - Taśma i szpula (TR) 5048-XP10P500NCT-ND - Taśma cięta (CT) 5048-XP10P500NDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	YAGEO XSEMI
Numer produktu producenta	XP10P500N
Opis	MOSFET P-CH 100V 1.2A SOT23
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 100 V 1,2A (Ta) 1,38W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	YAGEO XSEMI
Seria	XP10P500
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	1,2A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	500mOhm przy 1A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	670 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,38W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3