Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
S2M0025120J | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 1655-S2M0025120J-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | S2M0025120J |
Opis | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 12 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1200 V 70A (Tj) 311W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 15mA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 177 nC @ 20 V |
Opakowanie Rurka | Vgs (maks.) +25V, -10V |
Status części Aktywny | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4150 pF @ 1000 V |
Typ FET | Straty mocy (maks.) 311W (Tc) |
Technologia | Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1200 V | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa dostawcy urządzenia TO-263-7 |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 20V | Obudowa / skrzynia |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 34mOhm przy 50A, 20V |
Zgłoś błąd informacji o produkcie
Dokumenty i media
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
W magazynie: 34
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 65,96000 zł | 65,96 zł |
| 50 | 38,65720 zł | 1 932,86 zł |
| 100 | 36,03330 zł | 3 603,33 zł |
| 500 | 33,36750 zł | 16 683,75 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 65,96000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 81,13080 zł |
