


C3M0280090J | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | C3M0280090J-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | C3M0280090J |
Opis | SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 900 V 11A (Tc) 50W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | C3M0280090J Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Nieaktualne | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 900 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 15V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 360mOhm przy 7,5A, 15V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3,5V przy 1,2mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 9.5 nC @ 15 V | |
Vgs (maks.) | +18V, -8V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 150 pF @ 600 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 50W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-263-7 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 36,02000 zł | 36,02 zł |
| 50 | 19,83140 zł | 991,57 zł |
| 100 | 18,27010 zł | 1 827,01 zł |
| 500 | 15,53816 zł | 7 769,08 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 36,02000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 44,30460 zł |

