
C3M0120065J | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 1697-C3M0120065J-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | C3M0120065J |
Opis | 650V 120M SIC MOSFET |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 21A (Tc) 86W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | C3M0120065J Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Nieaktualne | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 15V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 157mOhm przy 6,76A, 15V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3,6V przy 1,86mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 26 nC @ 15 V | |
Vgs (maks.) | +19V, -8V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 640 pF @ 400 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 86W (Tc) | |
Temperatura robocza | -40°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-263-7 | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 34,55000 zł | 34,55 zł |
| 10 | 26,84600 zł | 268,46 zł |
| 50 | 23,76740 zł | 1 188,37 zł |
| 100 | 22,81310 zł | 2 281,31 zł |
| 250 | 21,80612 zł | 5 451,53 zł |
| 500 | 21,19930 zł | 10 599,65 zł |
| 1 000 | 20,69972 zł | 20 699,72 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 34,55000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 42,49650 zł |

