NXPSC086506Q WeEn Semiconductors | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NXPSC086506Q
Numer produktu DigiKey	NXPSC086506Q-ND
Producent	WeEn Semiconductors
Numer produktu producenta	NXPSC086506Q
Opis	DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Diody 650 V 8A Otwór przelotowy TO-220AC
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Diody Prostowniki Diody pojedyncze
Prod.	WeEn Semiconductors
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Technologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)	650 V
Prąd - średni wyprostowany (Io)	8A
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If	1.7 V @ 8 A
Prędkość	Czas bez powrotu > 500mA (Io)
Czas regeneracji wstecznej (trr)	0 ns
Prąd - wsteczny upływowy przy Vr	230 µA @ 650 V
Pojemność przy Vr, F	260pF przy 1V, 1MHz
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia	TO-220-2
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220AC
Temperatura robocza - złącze	175°C (maks.)
Bazowy numer produktu	NXPSC

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 2 998

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ten produkt nie jest już produkowany, a jego zapasy nie będą uzupełniane po wyczerpaniu. Wyświetl Zamienniki.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	20,97000 zł	20,97 zł
50	11,03780 zł	551,89 zł
100	10,07740 zł	1 007,74 zł
500	8,39480 zł	4 197,40 zł
1 000	8,05200 zł	8 052,00 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.