Name: SUP60030E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUP60030E-GE3-ND
Price: 22.263 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SUP60030E-GE3
Numer produktu DigiKey	SUP60030E-GE3-ND
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SUP60030E-GE3
Opis	MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SUP60030E-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 141 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Zbiorcze	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 7910 pF @ 40 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 375W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Otwór przelotowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-220AB
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 120A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-220-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 7,5V, 10V	Bazowy numer produktu SUP60030
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3,4mOhm przy 30A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 373

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Zbiorcze

Opakowanie standardowe producenta

Cena jednostkowa bez VAT:	18,10000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	22,26300 zł

SUP60030E-GE3