Name: SUM65N20-30-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM65N20-30-E3TR-ND
Price: 29.5938 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SUM65N20-30-E3
Numer produktu DigiKey	SUM65N20-30-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SUM65N20-30-E3CT-ND - Taśma cięta (CT) SUM65N20-30-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SUM65N20-30-E3
Opis	MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 65A (Tc) 3,75W (Ta), 375W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 130 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 5100 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3,75W (Ta), 375W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 200 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 65A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu SUM65
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 30mOhm przy 30A, 10V