Name: SQS160ELNW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQS160ELNW-T1_GE3TR-ND
Price: 7.0233 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQS160ELNW-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	742-SQS160ELNW-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SQS160ELNW-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SQS160ELNW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQS160ELNW-T1_GE3
Opis	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Standardowy czas realizacji przez producenta	32 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 141A (Tc) 113W (Tc) Montaż powierzchniowy, bok zwilżany PowerPAK® 1212-8SLW
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SQS160ELNW-T1_GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET® Gen IV
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	141A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,3mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	71 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3866 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	113W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy, bok zwilżany
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® 1212-8SLW
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® 1212-8SLW
Bazowy numer produktu	SQS160