Name: SQRS160EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQRS160EP-T1_GE3TR-ND
Price: 5.71535 PLN
Availability: OutOfStock

Nowości w DigiKey

Kanał N 60 V 373A (Tc) 270W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQRS160EP-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	742-SQRS160EP-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQRS160EP-T1_GE3
Opis	N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	37 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 373A (Tc) 270W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,2V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 195 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR)	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 12353 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 270W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 373A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 0,98mOhm przy 15A, 10V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Dodatkowe zasoby

Dostępne do zamawiania

Sprawdź czas realizacji

Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma i szpula (TR)