Name: SQM35N30-97_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM35N30-97_GE3TR-ND
Price: 22.6074 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQM35N30-97_GE3
Numer produktu DigiKey	SQM35N30-97_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQM35N30-97_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQM35N30-97_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQM35N30-97_GE3
Opis	MOSFET N-CH 300V 35A TO263
Standardowy czas realizacji przez producenta	23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 300 V 35A (Tc) 375W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 130 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 5650 pF @ 25 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 375W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 300 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 35A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 97mOhm przy 10A, 10V	Bazowy numer produktu SQM35
Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 250µA