
SISS94DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SISS94DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SISS94DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SISS94DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SISS94DN-T1-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 42 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 200 V 5,4A (Ta), 19,5A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8S |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SISS94DN-T1-GE3 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 21 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±20V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 350 pF @ 100 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 200 V | Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8S |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 7,5V, 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 75mOhm przy 5,4A, 10V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 5,49000 zł | 5,49 zł |
| 10 | 3,46500 zł | 34,65 zł |
| 100 | 2,29920 zł | 229,92 zł |
| 500 | 1,79900 zł | 899,50 zł |
| 1 000 | 1,63798 zł | 1 637,98 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,43353 zł | 4 300,59 zł |
| 6 000 | 1,33063 zł | 7 983,78 zł |
| 9 000 | 1,27821 zł | 11 503,89 zł |
| 15 000 | 1,21935 zł | 18 290,25 zł |
| 21 000 | 1,18452 zł | 24 874,92 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 5,49000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 6,75270 zł |






