Name: SQJA84EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJA84EP-T1_GE3TR-ND
Price: 8.2533 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQJA84EP-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	SQJA84EP-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQJA84EP-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQJA84EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQJA84EP-T1_GE3
Opis	MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	39 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 46A (Tc) 55W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 35 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2100 pF @ 25 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 55W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 46A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 12,5mOhm przy 10A, 10V	Bazowy numer produktu SQJA84
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA