Name: SQJ479EP-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ479EP-T1_BE3TR-ND
Price: 8.3517 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQJ479EP-T1_BE3
Numer produktu DigiKey	742-SQJ479EP-T1_BE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SQJ479EP-T1_BE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SQJ479EP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQJ479EP-T1_BE3
Opis	P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 80 V 32A (Tc) 68W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SQJ479EP-T1_BE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 150 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4500 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 68W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 32A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 33mOhm przy 10A, 10V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA