Name: SQJ457EP-T2_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ457EP-T2_GE3TR-ND
Price: 7.1094 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQJ457EP-T2_GE3
Numer produktu DigiKey	742-SQJ457EP-T2_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SQJ457EP-T2_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SQJ457EP-T2_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQJ457EP-T2_GE3
Opis	P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 36A (Tc) 68W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 100 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3400 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 68W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 36A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 25mOhm przy 10A, 10V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA