Name: SQJ136ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ136ELP-T1_GE3TR-ND
Price: 11.3898 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQJ136ELP-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	742-SQJ136ELP-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SQJ136ELP-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SQJ136ELP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQJ136ELP-T1_GE3
Opis	MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	39 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 350A (Tc) 500W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 150 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Seria TrenchFET® Gen IV	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 8015 pF @ 25 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 500W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 350A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,12mOhm przy 15A, 10V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 250µA	Bazowy numer produktu SQJ136