Name: SQJ123ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ123ELP-T1_GE3TR-ND
Price: 10.9101 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQJ123ELP-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	742-SQJ123ELP-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SQJ123ELP-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SQJ123ELP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQJ123ELP-T1_GE3
Opis	AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 12 V 238A (Tc) 375W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SQJ123ELP-T1_GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 180 nC @ 4.5 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±8V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 11680 pF @ 6 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 375W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 12 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 238A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,8V, 4,5V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 4mOhm przy 10A, 4,5V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8