Name: SQ4425EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4425EY-T1_GE3TR-ND
Price: 12.5829 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQ4425EY-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	SQ4425EY-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQ4425EY-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQ4425EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQ4425EY-T1_GE3
Opis	MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 18A (Tc) 6,8W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 50 nC @ 4.5 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3630 pF @ 25 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 6,8W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał P	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 18A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 12mOhm przy 13A, 10V	Bazowy numer produktu SQ4425
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA