SQ4401EY-T1_GE3 Vishay Siliconix | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQ4401EY-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	SQ4401EY-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQ4401EY-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT)
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQ4401EY-T1_GE3
Opis	MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 40 V 17,3A (Tc) 1,14W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SQ4401EY-T1_GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 115 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4250 pF @ 20 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT)	Straty mocy (maks.) 1,14W (Tc)
Status części Nieaktualne	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał P	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 17,3A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 14mOhm przy 10,5A, 10V	Bazowy numer produktu SQ4401
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

Zamienniki (3)

Numer katalogowy	Producent	Ilość dostępna	Numer produktu DigiKey	Cena jednostkowa	Rodzaj zamiennika
DMP4015SSS-13	Diodes Incorporated	0	DMP4015SSS-13DICT-ND	5,53000 zł	Similar
DMP4015SSSQ-13	Diodes Incorporated	996	DMP4015SSSQ-13DICT-ND	7,50000 zł	Similar
FDS4675	onsemi	18 191	FDS4675CT-ND	6,28000 zł	Similar