Name: SQ2319ADS-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2319ADS-T1_BE3TR-ND
Price: 4.7724 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQ2319ADS-T1_BE3
Numer produktu DigiKey	742-SQ2319ADS-T1_BE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SQ2319ADS-T1_BE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SQ2319ADS-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQ2319ADS-T1_BE3
Opis	MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 40 V 4,6A (Tc) 2,5W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-23-3 (TO-236)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4,6A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	75mOhm przy 3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	620 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23-3 (TO-236)
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	SQ2319