SQ2308CES-T1_BE3 Vishay Siliconix | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQ2308CES-T1_BE3
Numer produktu DigiKey	742-SQ2308CES-T1_BE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SQ2308CES-T1_BE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SQ2308CES-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQ2308CES-T1_BE3
Opis	MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 2,3A (Tc) 2W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-23-3 (TO-236)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SQ2308CES-T1_BE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 5.3 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 205 pF @ 30 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 2W (Tc)
Status części Nieaktualne	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2,3A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23-3 (TO-236)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 150mOhm przy 2,3A, 10V	Bazowy numer produktu SQ2308
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 16 209

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ten produkt nie jest już produkowany, a jego zapasy nie będą uzupełniane po wyczerpaniu.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT)

Taśma i szpula (TR)