Name: SQ2301ES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2301ES-T1_GE3TR-ND
Price: 3.7515 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQ2301ES-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	742-SQ2301ES-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SQ2301ES-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SQ2301ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQ2301ES-T1_GE3
Opis	MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 3,9A (Tc) 3W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-236 (SOT-23)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8 nC @ 4.5 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±8V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 425 pF @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 3W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TA)
Typ FET Kanał P	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 3,9A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-236 (SOT-23)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 2,5V, 4,5V	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 120mOhm przy 2,8A, 4,5V	Bazowy numer produktu SQ2301
Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250µA

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 11 779

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)