Name: SISS78LDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS78LDN-T1-GE3TR-ND
Price: 9.4956 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SISS78LDN-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SISS78LDN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SISS78LDN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SISS78LDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SISS78LDN-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 70V 19.4A/66.7A PPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 70 V 19,4A (Ta), 66,7A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8SH
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SISS78LDN-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,3V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 50 nC @ 10 V
Seria TrenchFET® Gen IV	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2280 pF @ 35 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 4,8W (Ta), 57W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 70 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8SH
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 19,4A (Ta), 66,7A (Tc)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® 1212-8SH
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SISS78
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 5,8mOhm przy 10A, 10V