Name: SISS52DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS52DN-T1-GE3TR-ND
Price: 8.0442 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SISS52DN-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SISS52DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SISS52DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SISS52DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SISS52DN-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 47,1A (Ta), 162A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8SH
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SISS52DN-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 65 nC @ 10 V
Seria TrenchFET® Gen V	Vgs (maks.) +16V, -12V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2950 pF @ 15 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 4,8W (Ta), 57W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8SH
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 47,1A (Ta), 162A (Tc)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® 1212-8SH
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SISS52
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,2mOhm przy 20A, 10V