Name: SISS5112DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS5112DN-T1-GE3TR-ND
Price: 9.4587 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SISS5112DN-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SISS5112DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SISS5112DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SISS5112DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SISS5112DN-T1-GE3
Opis	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Standardowy czas realizacji przez producenta	33 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 11A (Ta), 40,7A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8S
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SISS5112DN-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	11A (Ta), 40,7A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	7,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	14,9mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	790 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® 1212-8S
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® 1212-8S
Bazowy numer produktu	SISS5112