Name: SISS32DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS32DN-T1-GE3TR-ND
Price: 9.7662 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SISS32DN-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SISS32DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SISS32DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SISS32DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SISS32DN-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 17,4A (Ta), 63A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8S
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,8V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 42 nC @ 10 V
Seria TrenchFET® Gen IV	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1930 pF @ 40 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 5W (Ta), 65,7W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8S
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 17,4A (Ta), 63A (Tc)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® 1212-8S
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 7,5V, 10V	Bazowy numer produktu SISS32
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 7,2mOhm przy 10A, 10V