Name: SISHA14DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISHA14DN-T1-GE3TR-ND
Price: 5.4735 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SISHA14DN-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SISHA14DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SISHA14DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SISHA14DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SISHA14DN-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 19.7A (Ta), 20A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8SH
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 29 nC @ 10 V
Seria TrenchFET® Gen IV	Vgs (maks.) +20V, -16V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1450 pF @ 15 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8SH
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 19.7A (Ta), 20A (Tc)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® 1212-8SH
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SISHA14
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 5,1mOhm przy 10A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 5 870

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)