Name: SISHA06DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISHA06DN-T1-GE3TR-ND
Price: 7.3308 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SISHA06DN-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SISHA06DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SISHA06DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SISHA06DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SISHA06DN-T1-GE3
Opis	N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 28,1A (Ta), 104A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8SH
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3mOhm przy 10A, 10V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,4V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 67 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +20V, -16V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3932 pF @ 15 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 28,1A (Ta), 104A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8SH
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® 1212-8SH