
SISHA04DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SISHA04DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SISHA04DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SISHA04DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SISHA04DN-T1-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 30V 30.9A/40A PPAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 19 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 30 V 30.9A (Ta), 40A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8SH |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SISHA04DN-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 2,15mOhm przy 15A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,2V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 77 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | +20V, -16V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 3595 pF @ 15 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 3,7W (Ta), 52W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® 1212-8SH | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 5,38000 zł | 5,38 zł |
| 10 | 3,40700 zł | 34,07 zł |
| 100 | 2,26480 zł | 226,48 zł |
| 500 | 1,77452 zł | 887,26 zł |
| 1 000 | 1,61673 zł | 1 616,73 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,41635 zł | 4 249,05 zł |
| 6 000 | 1,31549 zł | 7 892,94 zł |
| 9 000 | 1,26412 zł | 11 377,08 zł |
| 15 000 | 1,26041 zł | 18 906,15 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 5,38000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 6,61740 zł |








