
SISH536DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SISH536DN-T1-GE3 |
Opis | N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 19 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8SH |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 3,25mOhm przy 10A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,2V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 25 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | +16V, -12V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1150 pF @ 15 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® 1212-8SH | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 3,29000 zł | 3,29 zł |
| 10 | 2,04200 zł | 20,42 zł |
| 100 | 1,32640 zł | 132,64 zł |
| 500 | 1,01762 zł | 508,81 zł |
| 1 000 | 0,91815 zł | 918,15 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,79167 zł | 2 375,01 zł |
| 6 000 | 0,72797 zł | 4 367,82 zł |
| 9 000 | 0,69552 zł | 6 259,68 zł |
| 15 000 | 0,65905 zł | 9 885,75 zł |
| 21 000 | 0,63746 zł | 13 386,66 zł |
| 30 000 | 0,63044 zł | 18 913,20 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 3,29000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 4,04670 zł |


