Name: SISH536DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND
Price: 4.8585 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SISH536DN-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SISH536DN-T1-GE3
Opis	N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8SH
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3,25mOhm przy 10A, 10V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 250µA
Seria TrenchFET® Gen V	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 25 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +16V, -12V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1150 pF @ 15 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 24,7A (Ta), 67,4A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8SH
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® 1212-8SH

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 0

Sprawdź czas realizacji

Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)