Name: SISA18ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISA18ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 5.6088 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SISA18ADN-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SISA18ADN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SISA18ADN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SISA18ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SISA18ADN-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 38,3A (Tc) 3,2W (Ta), 19,8W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SISA18ADN-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,4V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 21.5 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) +20V, -16V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1000 pF @ 15 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3,2W (Ta), 19,8W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 38,3A (Tc)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® 1212-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SISA18
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 7,5mOhm przy 10A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 8 970

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)