Name: SIRS4401DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRS4401DP-T1-GE3TR-ND
Price: 20.1351 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIRS4401DP-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SIRS4401DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIRS4401DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIRS4401DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIRS4401DP-T1-GE3
Opis	P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 40 V 46,8A (Ta), 198A (Tc) 7,4W (Ta), 132W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,3V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 588 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 21850 pF @ 20 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 7,4W (Ta), 132W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 46,8A (Ta), 198A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,2mOhm przy 20A, 10V	Bazowy numer produktu SIRS4401