
SIRA99DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIRA99DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIRA99DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIRA99DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIRA99DP-T1-GE3 |
Opis | MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 19 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał P 30 V 47.9A (Ta), 195A (Tc) 6.35W (Ta), 104W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIRA99DP-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 1,7mOhm przy 20A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 260 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | +16V, -20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 10955 pF @ 15 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 6.35W (Ta), 104W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® SO-8 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 12,59000 zł | 12,59 zł |
| 10 | 8,22400 zł | 82,24 zł |
| 100 | 5,72900 zł | 572,90 zł |
| 500 | 4,95300 zł | 2 476,50 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 4,04659 zł | 12 139,77 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 12,59000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 15,48570 zł |










