Name: SIRA58DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA58DP-T1-GE3TR-ND
Price: 10.8609 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIRA58DP-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SIRA58DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIRA58DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIRA58DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIRA58DP-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 60A (Tc) 27,7W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,4V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 75 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) +20V, -16V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3750 pF @ 20 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 27,7W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 60A (Tc)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SIRA58
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,65mOhm przy 15A, 10V