Name: SIRA20BDP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRA20BDP-T1-GE3TR-ND
Price: 9.8646 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIRA20BDP-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SIRA20BDP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIRA20BDP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIRA20BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIRA20BDP-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 25 V 82A (Ta), 335A (Tc) 6,3W (Ta), 104W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET® Gen IV
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	25 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	82A (Ta), 335A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,58mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	186 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+16V, -12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	9950 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	6,3W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® SO-8
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® SO-8
Bazowy numer produktu	SIRA20