Name: SIRA12BDP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND
Price: 5.0922 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIRA12BDP-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIRA12BDP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIRA12BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIRA12BDP-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 27A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 38W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIRA12BDP-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET® Gen IV
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	27A (Ta), 60A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,3mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+20V, -16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1470 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	5W (Ta), 38W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® SO-8
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® SO-8
Bazowy numer produktu	SIRA12