Name: SIR680DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR680DP-T1-RE3TR-ND
Price: 13.6407 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

SIR680DP-T1-RE3
Numer produktu DigiKey	SIR680DP-T1-RE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIR680DP-T1-RE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIR680DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIR680DP-T1-RE3
Opis	MOSFET N-CH 80V 100A PPAK SO-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 100A (Tc) 104W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIR680DP-T1-RE3 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET® Gen IV
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	7,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,9mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	81 nC @ 7.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5150 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	104W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® SO-8
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® SO-8
Bazowy numer produktu	SIR680

Cena jednostkowa bez VAT:	11,09000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	13,64070 zł

SIR680DP-T1-RE3