
SIR640ADP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIR640ADP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIR640ADP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIR640ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIR640ADP-T1-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 55 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 40 V 41,6A (Ta), 100A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIR640ADP-T1-GE3 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 90 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±20V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4240 pF @ 20 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 6,25W (Ta), 104W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V | Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8 |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2mOhm przy 20A, 10V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 10,20000 zł | 10,20 zł |
| 10 | 6,58200 zł | 65,82 zł |
| 100 | 4,51580 zł | 451,58 zł |
| 500 | 3,63260 zł | 1 816,30 zł |
| 1 000 | 3,40623 zł | 3 406,23 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 2,98844 zł | 8 965,32 zł |
| 6 000 | 2,80725 zł | 16 843,50 zł |
| 9 000 | 2,78287 zł | 25 045,83 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 10,20000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 12,54600 zł |

