Name: SIR606BDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR606BDP-T1-RE3TR-ND
Price: 9.4464 PLN
Availability: InStock

SIR606BDP-T1-RE3
Numer produktu DigiKey	SIR606BDP-T1-RE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIR606BDP-T1-RE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIR606BDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIR606BDP-T1-RE3
Opis	MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	45 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 10,9A (Ta), 38,7A (Tc) 5W (Ta), 62,5W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIR606BDP-T1-RE3 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET® Gen IV
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	10,9A (Ta), 38,7A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	7,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	17,4mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1470 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	5W (Ta), 62,5W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® SO-8
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® SO-8
Bazowy numer produktu	SIR606

Cena jednostkowa bez VAT:	7,68000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	9,44640 zł

SIR606BDP-T1-RE3