Name: SIR470DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR470DP-T1-GE3TR-ND
Price: 16.605 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIR470DP-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SIR470DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIR470DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIR470DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIR470DP-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	45 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 60A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIR470DP-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 155 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 5660 pF @ 20 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 6,25W (Ta), 104W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 60A (Tc)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SIR470
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,3mOhm przy 20A, 10V