
SIR424DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIR424DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIR424DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIR424DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIR424DP-T1-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 27 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 20 V 30A (Tc) 4,8W (Ta), 41,7W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIR424DP-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 20 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 5,5mOhm przy 20A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 35 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1250 pF @ 10 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 4,8W (Ta), 41,7W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® SO-8 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 5,31000 zł | 5,31 zł |
| 10 | 3,35600 zł | 33,56 zł |
| 100 | 2,22930 zł | 222,93 zł |
| 500 | 1,74574 zł | 872,87 zł |
| 1 000 | 1,59005 zł | 1 590,05 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,39230 zł | 4 176,90 zł |
| 6 000 | 1,29279 zł | 7 756,74 zł |
| 9 000 | 1,24210 zł | 11 178,90 zł |
| 15 000 | 1,23525 zł | 18 528,75 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 5,31000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 6,53130 zł |









