
SIR424DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIR424DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIR424DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIR424DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIR424DP-T1-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 38 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 20 V 30A (Tc) 4,8W (Ta), 41,7W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIR424DP-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 20 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 5,5mOhm przy 20A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 35 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1250 pF @ 10 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 4,8W (Ta), 41,7W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® SO-8 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 5,57000 zł | 5,57 zł |
| 10 | 3,52300 zł | 35,23 zł |
| 100 | 2,34050 zł | 234,05 zł |
| 500 | 1,83260 zł | 916,30 zł |
| 1 000 | 1,66918 zł | 1 669,18 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,46160 zł | 4 384,80 zł |
| 6 000 | 1,35713 zł | 8 142,78 zł |
| 9 000 | 1,30391 zł | 11 735,19 zł |
| 15 000 | 1,24414 zł | 18 662,10 zł |
| 21 000 | 1,21190 zł | 25 449,90 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 5,57000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 6,85110 zł |



