Name: SIR167DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR167DP-T1-GE3TR-ND
Price: 8.4378 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIR167DP-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SIR167DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIR167DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIR167DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIR167DP-T1-GE3
Opis	MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 60A (Tc) 65,8W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 111 nC @ 10 V
Seria TrenchFET® Gen III	Vgs (maks.) ±25V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4380 pF @ 15 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 65,8W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 60A (Tc)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SIR167
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 5,5mOhm przy 15A, 10V