Name: SIJH112E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND
Price: 27.7857 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIJH112E-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIJH112E-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIJH112E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIJH112E-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 8 x 8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIJH112E-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 160 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 8050 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3,3W (Ta), 333W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 8 x 8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 23A (Ta), 225A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,8mOhm przy 20A, 10V	Bazowy numer produktu SIJH112
Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA