
SIJH112E-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIJH112E-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIJH112E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIJH112E-T1-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 29 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 8 x 8 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIJH112E-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 100 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 2,8mOhm przy 20A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 160 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 8050 pF @ 50 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 3,3W (Ta), 333W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® 8 x 8 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 20,02000 zł | 20,02 zł |
| 10 | 13,35200 zł | 133,52 zł |
| 100 | 9,56650 zł | 956,65 zł |
| 500 | 9,25644 zł | 4 628,22 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 000 | 7,56248 zł | 15 124,96 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 20,02000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 24,62460 zł |


