Name: SIJ482DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIJ482DP-T1-GE3TR-ND
Price: 11.9679 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIJ482DP-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SIJ482DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIJ482DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT)
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIJ482DP-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	42 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 60A (Tc) 5W (Ta), 69,4W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIJ482DP-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,7V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 71 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT)	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2425 pF @ 40 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 5W (Ta), 69,4W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 60A (Tc)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SIJ482
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 6,2mOhm przy 20A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

Zamienniki (2)

Numer katalogowy	Producent	Ilość dostępna	Numer produktu DigiKey	Cena jednostkowa	Rodzaj zamiennika
SIR880DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	1 786	SIR880DP-T1-GE3CT-ND	13,18000 zł	Similar
RS6N120BHTB1	Rohm Semiconductor	2 504	846-RS6N120BHTB1CT-ND	13,93000 zł	Similar