
SIJ482DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIJ482DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIJ482DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIJ482DP-T1-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 33 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 80 V 60A (Tc) 5W (Ta), 69,4W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIJ482DP-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 80 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 6,2mOhm przy 20A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,7V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 71 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 2425 pF @ 40 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 5W (Ta), 69,4W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® SO-8 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 9,26000 zł | 9,26 zł |
| 10 | 5,95800 zł | 59,58 zł |
| 100 | 4,07800 zł | 407,80 zł |
| 500 | 3,27322 zł | 1 636,61 zł |
| 1 000 | 3,24788 zł | 3 247,88 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 2,68615 zł | 8 058,45 zł |
| 6 000 | 2,65350 zł | 15 921,00 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 9,26000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 11,38980 zł |











