
SIHW47N60EF-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHW47N60EF-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHW47N60EF-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 26 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 47A (Tc) 379W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AD |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 225 nC @ 10 V |
Opakowanie Rurka | Vgs (maks.) ±30V |
Status części Aktywny | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4854 pF @ 100 V |
Typ FET | Straty mocy (maks.) 379W (Tc) |
Technologia | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa dostawcy urządzenia TO-247AD |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Obudowa / skrzynia |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 65mOhm przy 24A, 10V | Bazowy numer produktu |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH070N60E | onsemi | 457 | FCH070N60EOS-ND | 32,50000 zł | Similar |
| FCH072N60 | onsemi | 217 | FCH072N60-ND | 37,99000 zł | Similar |
| IXFB110N60P3 | IXYS | 36 | 238-IXFB110N60P3-ND | 109,56000 zł | Similar |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | 55,77000 zł | Similar |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | 44,02000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 40,79000 zł | 40,79 zł |
| 10 | 28,15900 zł | 281,59 zł |
| 480 | 18,05717 zł | 8 667,44 zł |
| 960 | 17,86423 zł | 17 149,66 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 40,79000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 50,17170 zł |

