Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
SIHW21N80AE-GE3 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:
Odpowiednik parametryczny
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
SIHW21N80AE-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHW21N80AE-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHW21N80AE-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AD |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 25 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 17,4A (Tc) 32W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AD |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 800 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 235mOhm przy 11A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 72 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1388 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 32W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-247AD | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 20,61000 zł | 20,61 zł |
| 30 | 11,63133 zł | 348,94 zł |
| 120 | 9,65450 zł | 1 158,54 zł |
| 510 | 8,20508 zł | 4 184,59 zł |
| 1 020 | 7,85985 zł | 8 017,05 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 20,61000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 25,35030 zł |
Polska