
SIHU7N60E-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SIHU7N60E-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHU7N60E-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 600V 7A IPAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Otwór przelotowy TO-251AA |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 40 nC @ 10 V |
Opakowanie Rurka | Vgs (maks.) ±30V |
Status części Aktywny | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 680 pF @ 100 V |
Typ FET | Straty mocy (maks.) 78W (Tc) |
Technologia | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa dostawcy urządzenia TO-251AA |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Obudowa / skrzynia |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 600mOhm przy 3,5A, 10V | Bazowy numer produktu |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| STU10N60M2 | STMicroelectronics | 59 | 497-13977-5-ND | 6,79000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 9,84000 zł | 9,84 zł |
| 10 | 6,33800 zł | 63,38 zł |
| 100 | 4,34020 zł | 434,02 zł |
| 500 | 3,48544 zł | 1 742,72 zł |
| 1 000 | 3,21071 zł | 3 210,71 zł |
| 3 000 | 2,86208 zł | 8 586,24 zł |
| 6 000 | 2,68673 zł | 16 120,38 zł |
| 12 000 | 2,64822 zł | 31 778,64 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 9,84000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 12,10320 zł |

