
SIHU5N80AE-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SIHU5N80AE-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHU5N80AE-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 800V 4.4A TO251AA |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 25 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 4,4A (Tc) 62,5W (Tc) Otwór przelotowy TO-251AA |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 800 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 1,35Ohm przy 1,5A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 16.5 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 321 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 62,5W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-251AA | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 6,33000 zł | 6,33 zł |
| 10 | 4,01100 zł | 40,11 zł |
| 100 | 2,68790 zł | 268,79 zł |
| 500 | 2,12060 zł | 1 060,30 zł |
| 1 000 | 1,93808 zł | 1 938,08 zł |
| 3 000 | 1,70643 zł | 5 119,29 zł |
| 6 000 | 1,58984 zł | 9 539,04 zł |
| 12 000 | 1,56831 zł | 18 819,72 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 6,33000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 7,78590 zł |


